| 发明名称 | 磁控溅射镀膜用真空腔室 | ||
| 摘要 | 磁控溅射镀膜用真空腔室，用于制造ITO透明导电玻璃，由加热腔室、中频磁控反应溅射镀膜腔室、缓冲腔室、直流磁控溅射镀膜腔室和氧化退火腔室等真空腔室顺序串接组成，设备中增加了首尾真空腔室的数量，即加热腔室至少设置4个，其包含有一腔进片室，氧化退火腔室也至少设置有4个，通过增加加热腔室和氧化退火腔室的个数，解决了基片玻璃的加热均匀性，提高了氧化退火效能的保持，从而保障了导电玻璃膜层的质量，其物理性能指标较理想、生产效益得到提高。 | ||
| 申请公布号 | CN2773098Y | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200520070009.6 | 申请日期 | 2005.03.22 |
| 申请人 | 无锡康力电子有限公司 | 发明人 | 李俊;朱殿荣 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01);C23C14/56(2006.01) | 主分类号 | C23C14/35(2006.01) |
| 代理机构 | 宜兴市天宇专利事务所 | 代理人 | 曹卫华 |
| 主权项 | 1.磁控溅射镀膜用真空腔室，由加热腔室、中频磁控反应溅射镀膜腔室、缓冲腔室、直流磁控溅射镀膜腔室和氧化退火腔室等真空腔室顺序串接组成，其特征在于增加首尾真空腔室的数量，即加热腔室至少设置4个，其包含有一腔进片室，氧化退火腔室也至少设置有4个。 | ||
| 地址 | 214253江苏省宜兴市新建镇工业园 | ||