发明名称 |
太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置及其方法 |
摘要 |
本发明公开了太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置及其方法,涉及能源新材料领域中太阳能电池纳米晶硅薄膜的制作方法;本发明是基于真空镀膜机采用物理气相沉积(PVD)方法沉积纳米晶硅薄膜。其目的是这样实现的:一是设计沉积硅薄膜的真空镀膜机的配置,二是采用离子束方法沉积纳米晶硅薄膜、气相掺杂制备薄膜硅太阳能电池PIN结构的完整工艺。本发明获得纳米至微米尺度的结晶硅薄膜,对于提高硅太阳能电池的光电转换效率,解决非晶硅太阳电池光衰的技术难题和大规模地面应用有重大意义,对于解决制约硅太阳能电池发展的瓶颈,即硅材料的供应,发展节能型高效硅太阳能电池也有重大应用价值。 |
申请公布号 |
CN1760405A |
申请公布日期 |
2006.04.19 |
申请号 |
CN200510019798.5 |
申请日期 |
2005.11.14 |
申请人 |
吴大维 |
发明人 |
吴大维;吴越侠;徐建平 |
分类号 |
C23C14/24(2006.01);C23C14/56(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/24(2006.01) |
代理机构 |
武汉宇晨专利事务所 |
代理人 |
黄瑞棠 |
主权项 |
1、一种太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置,包括真空镀膜机,真空镀膜机由真空室(3)、炉门(4)、抽气口(5)、工件架(6)、加热器(7)、配套电源和控制系统等组成;其特征在于:在炉门(4)和抽气口(5)处分别设置第一辅助源(1.1)和第二辅助源(1.2);在真空室(3)内靠外壁处,以炉门(4)和抽气口(5)中点连线为对称轴,右边设置有第一沉积源(2.1)、第二沉积源(2.2)、第三沉积源(2.3),左边设置有第四沉积源(2.4)、第五沉积源(2.5)、第六沉积源(2.6);在真空室3中央设置有加热器(7)。 |
地址 |
430071湖北省武汉市武昌区小洪山中区41号4楼7号 |