| 发明名称 | 非共面电极半导体激光器芯片高频特性测试台 | ||
| 摘要 | 一种非共面电极半导体激光器芯片高频特性测试台，其特征在于，包括：一带有台阶结构的导体台，该导体台包括水平的下台阶面和倾斜的上台阶面；一落差标尺，该落差标尺制作在上台阶面上。利用该测试台，可以用共面微波探针对各种非共面电极的激光器芯片进行直接、便捷的测量，避免了使用热沉和金丝所带来的不利影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1760679A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200410081182.6 | 申请日期 | 2004.10.11 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈诚;刘宇;袁海庆 |
| 分类号 | G01R1/02(2006.01);G01R31/26(2006.01);H01L21/66(2006.01);G01M11/00(2006.01);H04B10/08(2006.01) | 主分类号 | G01R1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种非共面电极半导体激光器芯片高频特性测试台，其特征在于，包括：一带有台阶结构的导体台，该导体台包括水平的下台阶面和倾斜的上台阶面；一落差标尺，该落差标尺制作在上台阶面上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||