发明名称 | 隔离基板杂讯的集成电路结构和其形成方法 | ||
摘要 | 本发明是有关于一种隔离基板杂讯的集成电路结构和其形成方法,在本发明的较佳实施例中,在基板上的第一电路区域和第二电路区域间利用质子轰击形成第一半绝缘区域,沿着第一半绝缘区域的两侧形成两个护环。从基板的背部利用质子轰击在基板内形成第二半绝缘区域。在一较佳的实施例,此第一半绝缘区域与第二半绝缘区域相连接。在一较佳的实施例,在基板底部紧邻第二半绝缘区域形成一接地的护层。 | ||
申请公布号 | CN1761059A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
申请号 | CN200510098328.2 | 申请日期 | 2005.09.07 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 连万益;邓端理 |
分类号 | H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 1、一种集成电路结构,其特征在于其包括:一第一电路区域,在一基板上;一第二电路区域,在该基板上;一第一半绝缘区域,在该第一电路区域和该第二电路区域间,其中该第一半绝缘区域从该基板的上表面实质延伸到该基板内部;一第一护环,位在该第一半绝缘区域的一侧,其中该第一护环从该基板的上表面实质延伸到该基板内部;以及一第二半绝缘区域,从该基板的背部实质延伸到该基板内部。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |