| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。 | ||
| 申请公布号 | CN1761049A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200510098150.1 | 申请日期 | 2005.09.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵范锡;裵良浩;李制勋;郑敞午 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01);G02F1/136(2006.01);H05B33/12(2006.01);H05B33/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；栅极线，所述栅极线形成在所述绝缘基板上并具有由含铝金属制成的第一层和由钼合金制成的第二层，所述钼合金包括钼以及铌、钒和钛中的至少一种，所述栅极线具有栅电极；形成于所述栅极线上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体；形成于所述栅极绝缘层和所述半导体上的数据线，该数据线具有源电极；形成于所述栅极绝缘层和所述半导体上的漏电极，该漏电极以预定间隙面对所述源电极；形成于所述数据线和所述漏电极上的钝化层，该钝化层具有接触孔；以及象素电极，该象素电极形成于所述钝化层上并通过所述接触孔连接到所述漏电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||