| 发明名称 | 微机电结构的制造方法和其集成电路 | ||
| 摘要 | 一种微机电结构的制造方法和其集成电路，特别是在一对由间隙分开的导电条之间提供桥接器，其包括：在第一导电层内形成一对导电条，所述导电条被一间隙分开；一导体在所述第一导电层内延伸通过所述间隙；以及在一第二导电层内形成一导电桥接器，该桥接器将所述导电条连接起来并且使所述导电条与所述导体电绝缘，并将所述桥接器形成为其跨度为小于所述第二导电层厚度的5倍。 | ||
| 申请公布号 | CN1251960C | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN03149041.7 | 申请日期 | 2003.06.19 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | Q·马;T·－K·A·曹 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | B81B7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;章社杲 |
| 主权项 | 1.一种制造微机电结构的方法，包括：在第一导电层内形成一对导电条，所述导电条在其延伸方向上被一间隙分开；使一导体在所述第一导电层内延伸通过所述间隙；以及在一第二导电层内形成一导电桥接器，该桥接器将所述导电条连接起来并且使所述导电条与所述导体电绝缘，并将所述桥接器形成为其跨度为小于所述第二导电层厚度的5倍。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||