| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及制造装置 | ||
| 摘要 | 根据预先设定好的初始设定开始利用热化学反应的半导体装置的制造工艺，测定参与热化学反应的气氛的状态量，根据由该测定所获得的测定数据，解析气氛的状态及其变化，把由该解析得到的解析数据反馈给制造工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1252795C | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN02107684.7 | 申请日期 | 2002.03.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 牛久幸広;中村光利 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，在利用热化学反应进行基板的改性或基板上的膜形成的半导体装置的制造工艺中，根据预先设定好的初始设定开始上述制造工艺，测定参与上述热化学反应的气氛的状态量，根据由该测定所获得的测定数据，解析上述气氛的状态及其变化，把由该解析得到的解析数据反馈给上述制造工艺。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||