| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置的制造方法，在第2层间绝缘膜(14)内形成槽(42)后，形成覆盖槽(42)的侧面及底面的存储电极(16)。在存储电极(16)之上形成电容绝缘膜(17)；在电容绝缘膜(17)之上，通过反复进行400摄氏度以下的低温的CVD法使用氨的退火，从而形成TiOxN<SUB>Y</SUB>膜(19)。在TiOxN<SUB>Y</SUB>膜(19)上形成TiN膜(20)，再以TiOxN<SUB>Y</SUB>膜(19)为掩模，对TiN膜(20)进行腐蚀。然后，除去露出的TiOxN<SUB>Y</SUB>膜(19)，从而形成由TiOxN<SUB>Y</SUB>膜(19)及TiN膜(20)构成的板式电极(25)。能抑制DRAM区和逻辑区之间的层间绝缘膜的阶差的发生，而且能够更正确地调整板式触点的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN1761062A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200510108588.3 | 申请日期 | 2005.10.10 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中林隆;新井秀幸;大塚隆史;矢野尚 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，具备具有下述部件的电容器：存储电极；设置在所述存储电极之上的电容绝缘膜；以及设置在所述电容绝缘膜之上，具有第1导体膜和配置在所述第1导体膜之上且腐蚀速率与所述第1导体膜不同的第2导体膜的板式电极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||