| 发明名称 | 低压有源半导体体器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种有源FET体器件，它包含：具有栅的有源FET区、沟道区域和位于有源FET区中的所述栅与所述沟道区域之间的电连接，同时提供了制造这种器件的各种方法。此电连接基本上在FET的整个宽度上延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN1252821C | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN99110512.5 | 申请日期 | 1999.07.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 法里伯兹·阿萨德奇;克罗德·L·伯林;杰弗里·P·噶比诺;路易斯·鲁－陈·苏;杰克·阿兰·迈德曼 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种低压有源FET体器件，包含：具有栅的有源FET区；沟道区域；以及所述栅与所述沟道区域之间的电连接，其中所述电连接位于所述有源FET区中，其中的电连接基本上在FET的整个宽度上延伸。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||