| 发明名称 | 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法 | ||
| 摘要 | c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，由组成式：(Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>)<SUP> 2+</SUP> (A<SUB>m－1</SUB>B<SUB>m</SUB>O<SUB>3m+1</SUB>)<SUP> 2－</SUP>、或Bi<SUB>2</SUB>A<SUB>m－1</SUB>B<SUB>m</SUB>O<SUB>3m+3</SUB>表示，所述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca以及Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo以及W的至少1种元素，所述铋层状化合物中的Bi，相对于所述组成式：(Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>)<SUP> 2+</SUP> (A<SUB>m－1</SUB>B<SUB>m</SUB>O<SUB>3m+1</SUB>)<SUP> 2－</SUP>、或Bi<SUB>2</SUB>A<SUB>m－1</SUB>B<SUB>m</SUB>O<SUB>3m+3</SUB>过剩含有，该Bi的过剩含量，换算为Bi，在0＜Bi＜0.5×m摩尔的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN1761776A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200480007724.3 | 申请日期 | 2004.01.16 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 坂下幸雄 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01);C01G29/00(2006.01);C04B35/01(2006.01);H01G4/12(2006.01);H01B3/12(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | C30B29/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.薄膜电容元件用组合物，其特征在于，c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物由组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-、或Bi2Am-1BmO3m+3表示，所述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca以及Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo以及W的至少1种元素，所述铋层状化合物中的Bi，相对于所述组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-、或Bi2Am-1BmO3m+3过剩含有，该Bi的过剩含量，换算为Bi，在0＜Bi＜0.5×m摩尔的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||