| 发明名称 | 利用钨作为牺牲硬掩膜制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种使用钨作为牺牲硬掩膜材料来制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在蚀刻目标层上形成一个层；在该层上形成光刻胶图案；通过使用该光刻胶图案为蚀刻掩膜连同使用含有CHF<SUB>3</SUB>气体的等离子体来蚀刻该层以形成牺牲硬掩膜；以及通过使用至少该牺牲硬掩膜作为蚀刻掩膜来蚀刻该蚀刻目标层，由此获得预定图案。 | ||
| 申请公布号 | CN1761036A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200510073045.2 | 申请日期 | 2005.05.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金光玉;曹允硕;文承灿;郑镇基;李圣权;宣俊劦;李东德;金镇雄;尹奎汉 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/768(2006.01);G03F1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其包含以下步骤：在蚀刻目标层上形成层；在所述层上形成光刻胶图案；通过使用该光刻胶图案作为蚀刻掩膜连同使用含有CHF3气体的等离子体来蚀刻所述层以形成牺牲硬掩膜；以及通过使用至少所述牺牲硬掩膜作为蚀刻掩膜来蚀刻所述蚀刻目标层，由此获得预定图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||