| 发明名称 | 用于较低EOT等离子体氮化的栅电介质的两步后氮化退火 | ||
| 摘要 | 一种形成含氮介电薄膜的方法。所述方法包括，采用等离子体氮化方法将氮结合入介电薄膜，形成氧氮化硅薄膜。所述氧氮化硅薄膜第一次在温度为约700℃至1100℃的惰性或还原气氛中进行退火。所述氧氮化硅薄膜第二次在温度为约900℃至1100℃的氧化气氛中进行退火。 | ||
| 申请公布号 | CN1762045A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN200480007178.3 | 申请日期 | 2004.03.05 |
| 申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | C·奥尔森 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种形成电介质薄膜的方法，包括：采用等离子体氮化法，将氮结合进入电介质薄膜，形成氧氮化硅薄膜；在惰性或还原气氛中，约700℃到1100℃的温度下对所述氧氮化硅薄膜退火；以及在氧化气氛中，约900℃到1100℃的温度下对所述氧氮化硅薄膜退火。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||