| 发明名称 | 紫外选择增强硅光电二极管 | ||
| 摘要 | 紫外选择增强硅光电二极管，它有衬底材料硅，衬底材料硅体表面中有PN结扩散区，衬底材料硅和PN结扩散区体表面上覆盖有二氧化硅层，电极引线分别与衬底材料硅和PN结扩散区连接，其特征在于受光面处露有衬底材料硅。能提高硅光电器件对紫外光的响应度，在400～200nm波段具有比普通硅光电二极管明显增强的紫外响应度，在365nm的响应度达到0.20A/W，且工艺成熟，方法简便，成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN1252836C | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
| 申请号 | CN03125372.5 | 申请日期 | 2003.09.03 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 陈炳若 |
| 分类号 | H01L31/103(2006.01);G01J1/02(2006.01) | 主分类号 | H01L31/103(2006.01) |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 朱必武 |
| 主权项 | 1、紫外选择增强硅光电二极管，它有衬底材料硅，衬底材料硅体表面中有PN结扩散区，衬底材料硅和PN结扩散区体表面上覆盖有二氧化硅层，电极引线分别与衬底材料硅和PN结扩散区连接，其特征在于受光面处露有衬底材料硅。 | ||
| 地址 | 430072湖北省武汉市武昌珞珈山 | ||