发明名称 METHOD OF RAPID THERMAL PROCESSING RTP OF ION IMPLANTED SILICON
摘要
申请公布号 KR100571722(B1) 申请公布日期 2006.04.18
申请号 KR20007008262 申请日期 2000.07.28
申请人 发明人
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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