Method of fabricating semiconductor device using enlarged margin self-aligned contact process,申请号KR19990029912-传众专利搜索

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发明名称	Method of fabricating semiconductor device using enlarged margin self-aligned contact process
摘要
申请公布号	KR100571653(B1)	申请公布日期	2006.04.17
申请号	KR19990029912	申请日期	1999.07.23
申请人		发明人
分类号	H01L21/283	主分类号	H01L21/283
代理机构		代理人
主权项
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