| 摘要 |
一种金属内连线结构之制造方法。两方法可达成其较佳之圆形化轮廓。对于两种方法，系形成一沟槽且导电材料系填入沟槽中。应用蚀刻阻挡层之方法包括形成一蚀刻阻挡层于一层间介电层下。在蚀刻层间介电层之一沟槽之后，系蚀刻蚀刻阻挡层，以圆形化沟槽边角。化学方法包括在蚀刻沟槽时，改变蚀刻化学物。在本发明之较佳实施例，上述之两种方法可分别使用，或是合并使用。在一较佳实施例中，一贯孔结构包括两铜导线且系形成一内连线贯孔。藉由使用蚀刻阻挡层方法或是改变蚀刻化学物之方法，可以形成大体上圆形化之边角。本发明之较佳实施例系应用在相近足以导致介电膜时间相依介电崩溃(time dependentdielectric breakdown，TDDB)之导电特征。 |
