形成用于闸电极图案化之硬遮罩的方法及对应的装置

摘要

本案揭示一种于半导体装置中形成用于闸电极图案化之硬遮罩的方法。方法包含提供欲蚀刻之一多晶矽层，以及于多晶矽层上方形成一氮化物硬遮罩，其中相较于氧化矽的蚀刻率，氮化物硬遮罩对稀氢氟酸具有相对高的蚀刻率。接着使用硬遮罩图案化多晶矽层，以及可使用氢氟酸去除硬遮罩。