半导体发光装置

摘要

一III族氮化物装置包括一第一n型层、一第一p型层，以及一隔离该第一p型层与该第一n型层之主动区域。该装置可包括一第二n型层及一隔离该第一及第二n型层之穿燧接合件。第一及第二接触件被电性连接至该第一及第二n型层。该第一及第二接触件系以相同材料做成，即对该主动区域所发射之光线具有大于75％反射比的材料。该装置可包括一结构层，该结构层被设置于该第二n型层与该第二接触件之间，或形成于一生长基材之与装置层对立的表面上。