多晶片封装之高密度基板

摘要

一种多晶片封装之高密度基板，主要包含有一层压形成之基板本体与一增层基板部，该基板本体系具有一第一晶片接合区并包含复数个第一连接垫，该些第一连接垫系排列于该第一晶片接合区之周围，以供焊线之连接，该增层基板部系结合于该基板本体，该增层基板部系具有一第二晶片接合区，复数个第二连接垫系可高密度形成于该第二晶片接合区内，以供覆晶接合。较佳地，该增层基板部系补偿该基板本体之一下沉区或一凹穴，以使该第一晶片接合区与该第二晶片接合区系可形成在同一平面并以一防焊层覆盖，以适用于封装不同型态之多个晶片。