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一种动态随机存取记忆体之结构
摘要
一种动态随机存取记忆体结构,系将基材上各记忆晶胞单元之主动区单独排列,且同时设计深沟渠图案为一棋盘式排列,其中,各相邻深沟渠图案之间皆系维持一固定间距。利用长型位元线接触插塞之设置,以电性连接对角相邻之每两个记忆晶胞的主动区,其中,每一长型位元线接触插塞上更设置有一接触窗口,以连接位元线,进而使对角相邻之记忆晶胞可由同一位元线所控制。
申请公布号
TW200612549
申请公布日期
2006.04.16
申请号
TW093130402
申请日期
2004.10.07
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
洪瑞源;简荣吾
分类号
H01L27/108
主分类号
H01L27/108
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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