| 摘要 |
本发明揭示一种形成奈米丛集电荷储存装置之方法。藉由使用一覆盖奈米丛集(24)的中间双重多晶矽–氮化物控制电极堆叠来形成复数个记忆体单元装置。该堆叠包括一首先形成的多晶矽–氮化物层(126)及一其次形成的含多晶矽之层(28)。将该其次形成的含多晶矽之层从包含该复数个记忆体单元之区域中移除。在一形成方法中，该其次形成的含多晶矽之层亦包含一氮化物部分，亦将该氮化物部分移除，从而留下该首先形成的多晶矽–氮化物层来形成该等记忆体单元装置。在另一形成方法中，该其次形成的含多晶矽之层并不包含氮化物且亦将该首先形成的多晶矽–氮化物层之一氮化物部分移除。在后者形成方法中，在剩余的多晶矽层(28)上方形成一随后的氮化物层(30)。在两形成方法中，该装置之一顶部部分均受保护以免氧化，从而保持了下方奈米丛集之尺寸与品质。该等记忆体单元装置周边之装置之闸极电极亦使用该其次形成的含多晶矽之层。 |
