发明名称 半导体记忆体装置及其封装以及使用该装置的记忆卡
摘要 揭露一种半导体记忆体装置及其封装以及一种使用该装置之记忆卡。该半导体记忆体装置包括一记忆体胞元阵列,在该阵列中复数个共用一字元线之记忆体胞元构成一页。将相同列位址信号输入至两个或更多记忆体晶片,以便可同时选择该两个或更多记忆体晶片之预定页,其中该两个或更多记忆体晶片包括一用以选择该页之列解码器。如果将该半导体记忆体装置封装或应用至该记忆卡,则可显着地减少该页之大小。并且,因为将资料交替地载入该等记忆体晶片中或交替地输出该等记忆体晶片之资料,所以可改善整个程式化及读取速度。因此,可改善该半导体记忆体装置之效能。
申请公布号 TW200612430 申请公布日期 2006.04.16
申请号 TW093138521 申请日期 2004.12.13
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 杨中燮
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国