制造具有一张力半导体层之一半导体装置之方法

摘要

将一植体(18)施行在P通道区，同时覆盖N通道区，而深入地非晶化一半导体层(12)表面的一层(16)。在此非晶化的步骤之后，将锗植入该非晶化的层。该锗(20)植入的深度小于非晶化的深度。将此非晶系的掺锗层(22)加热使得它再结晶化。该等再结晶化导致出一半导体层(24)，其为矽锗(SiGe)且为有压缩力的。然后P通道电晶体(25)形成在该再结晶化的半导体层(24)中。本方法也可以应用于N通道(26)一侧同时覆盖P通道一侧。在本案例中，该植体较佳的是用碳来替代锗。