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发明名称
使用化学机械研磨法及多重研磨平台之化学机械研磨法制造半导体元件之内连线结构的方法及具有内连线材料之半导体元件
摘要
一种用于制造半导体元件的化学机械研磨方法。首先,使用第一研磨平台与第一研磨浆移除第一内连线材料层的第一部分,然后使用第二研磨平台与第二研磨浆移除第一内连线材料层的第二部分,接着使用第二研磨平台与第三研磨浆移除第二内连线材料层的第一部分,以及使用第三研磨平台与第四研磨浆移除第二内连线材料层的第二部分。
申请公布号
TW200612485
申请公布日期
2006.04.16
申请号
TW094114386
申请日期
2005.05.04
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
邱文智;陈盈和;余振华
分类号
H01L21/304
主分类号
H01L21/304
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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