发明名称 声波共振装置及其制造方法
摘要 一种声波共振装置,其系包含有一半导体基板、一薄膜声波共振器(FBAR)以及一强化板,该薄膜声波共振器系设于该半导体基板之上表面,该半导体基板系具有一贯穿其上、下表面之共振腔,该强化板系设于该半导体基板之下表面,以密封该共振腔,且该强化板系可供黏晶接合,以减少该共振腔之污染,该强化板并可防止该半导体基板在切割步骤中产生崩裂。
申请公布号 TW200612589 申请公布日期 2006.04.16
申请号 TW093131284 申请日期 2004.10.15
申请人 飞信半导体股份有限公司 发明人 谢庆堂;陈英忠;吴信贤;锺震桂;高国陞;陈清期
分类号 H01L41/00;H03H9/00 主分类号 H01L41/00
代理机构 代理人 张启威
主权项
地址 高雄市高雄加工出口区南六路5号
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