发明名称 | 声波共振装置及其制造方法 | ||
摘要 | 一种声波共振装置,其系包含有一半导体基板、一薄膜声波共振器(FBAR)以及一强化板,该薄膜声波共振器系设于该半导体基板之上表面,该半导体基板系具有一贯穿其上、下表面之共振腔,该强化板系设于该半导体基板之下表面,以密封该共振腔,且该强化板系可供黏晶接合,以减少该共振腔之污染,该强化板并可防止该半导体基板在切割步骤中产生崩裂。 | ||
申请公布号 | TW200612589 | 申请公布日期 | 2006.04.16 |
申请号 | TW093131284 | 申请日期 | 2004.10.15 |
申请人 | 飞信半导体股份有限公司 | 发明人 | 谢庆堂;陈英忠;吴信贤;锺震桂;高国陞;陈清期 |
分类号 | H01L41/00;H03H9/00 | 主分类号 | H01L41/00 |
代理机构 | 代理人 | 张启威 | |
主权项 | |||
地址 | 高雄市高雄加工出口区南六路5号 |