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Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes angegeben, das ein Widerstandsverhalten aufweist, das stark von der Temperatur abhängt. Dieses Widerstandsverhalten wird durch eine spezielle mehrschichtige Struktur des Halbleiterbauelementes erhalten, wobei eine Schicht so ausgestaltet ist, dass beispielsweise in einem n-dotierten Gebiet mehrere p-dotierte Gebiete vorhanden sind, die auf einer Seite mittels Metallisierungsschicht kurzgeschlossen sind. Das Halbleiterbauelement kann beispielsweise zur Verringerung von Stromspitzen eingesetzt werden, wobei es dann in einen Leiter integriert wird. In kaltem Zustand weist das Halbleiterbauelement einen hohen Widerstand auf, der nach Erwärmung des Halbleiterbauelementes in Folge des fließenden Stromes signifikant kleiner wird.
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