Optoelektronischer Dünnfilmchip

摘要

Es wird ein optoelektronischer Dünnfilmchip angegeben, der wenigstens einen strahlungsemittierenden Bereich (8) in einer aktiven Zone (7) einer Dünnfilmschicht (2) und eine dem strahlungsemittierenden Bereich (8) nachgeordnete Linse (10, 12), die durch zumindest einen Teilbereich der Dünnfilmschicht (2) gebildet ist, aufweist, wobei die laterale Ausdehnung (PHI) der Linse (10, 12) größer ist als die laterale Ausdehnung des strahlungsemittierenden Bereich (delta). Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Dünnfilmchips angegeben.