Integrierter BiCMOS-Halbleiterschaltkreis

摘要

Ein integrierter BiCMOS-Halbleiterschaltkreis hat aktive MOAT-Bereiche (20) im Silizium. Diese aktiven MOAT-Bereiche (20) enthalten elektrisch aktive Bauelemente des Halbleiterschaltkreises, die aktive Fensterstrukturen für Basis- und/oder Emitter-Fenster umfassen. Der integrierte BiCMOS-Halbleiterschaltkreis hat Zonen, in denen Silizium zurückgelassen ist, um Dummy-MOAT-Bereiche (26) zu bilden, die keine elektrisch aktiven Bauelemente enthalten, und er hat Isolierungsgräben (22, 24), um die aktiven MOAT-Bereiche voneinander und von den Dummy-MOAT-Bereichen zu trennen. Die Dummy-MOAT-Bereiche (26) umfassen Dummy-Fensterstrukturen (34, 50), die geometrische Abmessungen und Formen aufweisen, die ähnlich wie diejenigen der aktiven Fensterstrukturen für die Basis- und/oder Emitter-Fenster sind.