| 发明名称 | 在氮化氧化硅层中补偿氮的不均匀浓度 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于形成要求结合特定数量的氮的极薄绝缘层的方法，其中，由于在氮结合期间和/或在氮结合之后执行氧化工艺，故可令遍及该衬底表面的氮变化的影响随之减少。氮变化致使氮浓度取决于氧化速率，并且因此，氮浓度取决于绝缘层的厚度变化。尤其，可有效的降低包括作为栅极绝缘层的薄绝缘层的晶体管的阈值变化。 | ||
| 申请公布号 | CN1759475A | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN200380110220.X | 申请日期 | 2003.12.22 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | K·维乔雷克;F·格雷奇;L·赫尔曼 |
| 分类号 | H01L21/3115(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种形成绝缘层的方法，该方法包括：在可氧化衬底上形成具有初始厚度(210)的介电层(202)；将氮导入至该介电层(202)；以及依据局部氮浓度而局部增加该介电层(202)的初始厚度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||