发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
一种半导体器件,包括:具有绝缘表面的衬底;在衬底上形成的第一绝缘膜,为氮化硅膜;在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜,为氧化硅膜;在第二绝缘膜上的结晶半导体膜,具有沟道区及源和漏区;在结晶半导体膜上形成的栅绝缘膜;在栅绝缘膜上形成的栅电极;层间绝缘膜,设置在所述结晶硅上;以及象素电极,通过层间绝缘膜与漏区电连接。本发明还提供了其他种类的半导体器件。这些半导体器件是借助本发明的一种腐蚀设备制成的,由于不发生等离子损伤,因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现,于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动,因而半导体器件中的截止电流值减小。 |
申请公布号 |
CN1251331C |
申请公布日期 |
2006.04.12 |
申请号 |
CN99110777.2 |
申请日期 |
1995.11.25 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;须泽英臣 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/302(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:具有绝缘表面的衬底;在所述衬底上形成的第一绝缘膜,为氮化硅膜;在所述第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜,为氧化硅膜;在所述第二绝缘膜上的结晶半导体膜,具有沟道区及源和漏区;在所述结晶半导体膜上形成的栅绝缘膜;在所述栅绝缘膜上形成的栅电极;层间绝缘膜,设置在所述结晶硅上;以及象素电极,通过所述层间绝缘膜与所述漏区电连接,其中,所述结晶半导体膜是通过使用氟化卤气体进行干腐蚀而形成的。 |
地址 |
日本神奈川县 |