| 发明名称 | 半导体器件和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件，具备：具有贯通孔的半导体基板；在上述贯通孔的内面上形成的第1绝缘树脂层；在上述半导体基板的表背面中的至少一方的面上形成的第2绝缘树脂层；以及在上述贯通孔内以至少把上述半导体基板的表背两面间连接起来的方式连续地形成，而且，已借助于上述第1绝缘树脂层与上述贯通孔的内面绝缘的第1导电体层。在第2绝缘树脂层上，可以具备已与贯通孔内的第1导电体层电连的第2导电体层(布线图形)。可以得到在贯通孔内形成、构成连接插塞等的导电体层的绝缘可靠性高，适合于多芯片封装体等的半导体器件。连接半导体基板的表背间的导电体层和绝缘层的形成性高，可以削减形成成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1758430A | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN200510102531.2 | 申请日期 | 2005.09.08 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 沼田英夫;江泽弘和;田窪知章;高桥健司;青木秀夫;原田享;金子尚史;池上浩;松尾美惠;大村一郎 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L25/065(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/48(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其具备：具有贯通表背面的贯通孔的半导体基板；在上述贯通孔的内面上所形成的第1绝缘树脂层；在上述半导体基板的表面与背面中的至少一方的面上所形成的第2绝缘树脂层；以及在上述贯通孔内，以至少把上述半导体基板的表背两面间连接起来的方式连续地形成，而且，借助于上述第1绝缘树脂层与上述贯通孔的内面绝缘的第1导电体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||