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发明名称 METHOD FOR ANISOTROPICALLY ETCHING A RECESS IN A SILICON SUBSTRATE AND USE OF A PLASMA ETCHING SYSTEM
摘要
申请公布号 EP1644954(A2) 申请公布日期 2006.04.12
申请号 EP20040766096 申请日期 2004.06.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 HANEWALD, THORSTEN;HAUSER, ANDREAS;JANSSEN, INGOLD;SUBKE, KAI-OLAF
分类号 H01L21/3065;H01J37/32;(IPC1-7):H01J37/32 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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