发明名称 用于制备含溶剂的低介电材料的组合物
摘要 本文公开了介电常数为3.7或更低的二氧化硅基材料和薄膜以及用于制备它们的组合物和方法以及使用它们的方法。一方面,提供了一种用于制备二氧化硅基材料的组合物,其含有至少一种二氧化硅源、溶剂、至少一种气孔源、任选的催化剂和任选的流动添加剂,其中溶剂在90℃-170℃的温度范围内沸腾,并且选自由下式表示的化合物:HO-CHR<SUP>8</SUP>-CHR<SUP>9</SUP>-CH<SUB>2</SUB>-CHR<SUP>10</SUP>R<SUP>11</SUP>,其中R<SUP>8</SUP>,R<SUP>9</SUP>,R<SUP>10</SUP>和R<SUP>11</SUP>可以独立地为1-4个碳原子的烷基基团或氢原子;和R<SUP>12</SUP>-CO-R<SUP>13</SUP>,其中R<SUP>12</SUP>是具有3-6个碳原子的烃基;R<SUP>13</SUP>是具有1-3个碳原子的烃基;以及它们的混合物。
申请公布号 CN1757445A 申请公布日期 2006.04.12
申请号 CN200510065651.X 申请日期 2005.03.02
申请人 气体产品与化学公司 发明人 S·J·维格;S·N·克霍特;J·E·马道加尔;T·A·布拉梅;J·F·基尔纳;B·K·彼得森
分类号 B05D7/24(2006.01);B05D1/40(2006.01);B05D3/00(2006.01) 主分类号 B05D7/24(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 关立新;赵苏林
主权项 1、一种用于生产介电常数约3.7或更低的二氧化硅基材料的组合物,该组合物含有:至少一种二氧化硅源、溶剂、至少一种气孔源、任选的催化剂和任选的流动添加剂,其中溶剂在90℃-170℃的温度范围内沸腾,并且选自由下式表示的化合物:a.HO-CHR8-CHR9-CH2-CHR10R11,其中R8,R9,R10和R11可以独立地为1-4个碳原子的烷基基团或氢原子;和b.R12-CO-R13,其中R12是具有3-6个碳原子的烃基,R13是具有1-3个碳原子的烃基;以及它们的混合物。
地址 美国宾夕法尼亚州