具有浮动栅间壁的非易失性存储器及制造方法

摘要

本发明的非易失性存储器制程方法至少包括：形成一第一材质层，用以提供一浮动闸的一部分；于该第一层之上形成一层L1，并暴露出该层L1的一侧壁；以及于该层L1的侧壁之上形成一间壁，与该第一材质层呈物理接触，该间壁用以提供该浮动闸的另一部分。用该方法制成的非易失性存储器至少包含：一浮动闸，它至少包含有一第一平坦部分以及与该第一部分呈物理接触的一第二部分，该第二部分是比该第一部分突出；一绝缘层，它围住该浮动闸的所有侧边；以及一控制闸，它位于该浮动闸之上，该绝缘层隔离该控制闸与该浮动闸。浮动闸包含部分的导电层和导电间壁，其中导电间壁可以增加浮动闸和控制闸之间的电容耦合。

主权项

1.一种非易失性存储器制造方法，其特征在于，至少包括：形成一第一氧化层于一半导体基板上；形成一第一掺杂多晶硅层于该氧化层上；形成一氮化硅层于该掺杂多晶硅层上；通过光刻技术形成将被蚀刻的区域；蚀刻该氮化硅层；蚀刻该第一掺杂多晶硅层；蚀刻该第一氧化层；蚀刻该半导体基板；沉积一第二氧化层；以化学机械研磨法研磨该第二氧化层，且以该氮化硅层为研磨终止层；蚀刻该第二氧化层，至该掺杂多晶硅层的侧壁露出；以化学气相沉积法沉积一第二掺杂多晶硅层；对该第二掺杂多晶硅层进行非等向性蚀刻，以形成间壁于该氮化硅层及该第一掺杂多晶硅层的侧壁上；移除该氮化硅层；形成一ONO层，其中该ONO层的底部氧化层是以热氧化法成长的薄氧化层，该ONO的中间氮化硅层及底部氧化层是以化学气相法沉积而得；以低压化学气相沉积法沉积一第三掺杂多晶硅层；以及图案化该第三掺杂多晶硅层。