发明名称 |
增加原子层沉积速率的方法 |
摘要 |
一种增加原子层沉积速率的方法。首先,提供一基底于一原子层沉积反应室中,通过第一反应气体入口导入第一反应气体,使第一反应气体化学吸附于基底上;然后,导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部,但仍残留部分第一反应气体于原子层沉积反应室中;接着,通过第二反应气体入口导入第二反应气体,使第二反应气体与吸附于基底上的第一反应气体产生化学反应,并且同时地第二反应气体与残留于原子层沉积反应室内部的第一反应气体产生化学反应,因而形成一化合物层于基底上;之后,导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部,但仍残留部分第二反应气体于原子层沉积反应室中。 |
申请公布号 |
CN1251306C |
申请公布日期 |
2006.04.12 |
申请号 |
CN02149043.0 |
申请日期 |
2002.11.20 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
吴志远;林国楹;蔡嘉雄 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/31(2006.01);C23C16/14(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘朝华 |
主权项 |
1、一种增加原子层沉积速率的方法,其特征在于:它包括下列步骤:(a)提供一基底于一原子层沉积反应室中,该原子层沉积反应室至少具有一惰性气体入口、一第一反应气体入口、一第二反应气体入口与一排气口,该惰性气体入口导入惰性气体来吹净该原子层沉积反应室内部,该排气口具有一节流阀;(b)通过该第一反应气体入口导入第一反应气体,使第一反应气体化学吸附于该基底上;(c)导入惰性气体来吹净该原子层沉积反应室内部,但仍残留部分第一反应气体保留于该原子层沉积反应室中;(d)通过该第二反应气体入口导入第二反应气体,使第二反应气体与吸附于该基底上的第一反应气体产生化学反应,并且同时第二反应气体与步骤(c)中残留于该原子层沉积反应室中的第一反应气体产生化学反应,因而形成一化合物层于该基底上;(e)导入惰性气体来吹净该原子层沉积反应室内部,但仍残留部分第二反应气体保留于该原子层沉积反应室中。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |