薄膜晶体管及其轻掺杂漏极区的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管之轻掺杂漏极区的制造方法。首先，于基板上形成多晶硅层。接着，于多晶硅层上形成栅绝缘层。然后，于栅绝缘层上形成缓冲层与栅极，其中栅极位于缓冲层上，并暴露出部分之缓冲层。之后，进行掺杂制造工艺，以于多晶硅层中形成轻掺杂漏极区，其中轻掺杂漏极区对应位于栅极所暴露之部分缓冲层的下方。此薄膜晶体管及其轻掺杂漏极区的制造方法可节省制造成本，并可提高生产效率。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：基板；多晶硅层，配置在该基板上，且该多晶硅层中具有信道区、位于该信道区两侧的轻掺杂漏极区以及位于该轻掺杂漏极区外侧的源极区/漏极区；栅绝缘层，配置在该基板上，并覆盖该多晶硅层；缓冲层，配置在对应于该信道区以及该轻掺杂漏极区上方之该栅绝缘层上；栅极，配置在对应于该信道区上方之该缓冲层上；介电层，配置在该栅绝缘层上，并覆盖该栅极；源极导电层，位于该介电层之表面以及该介电层以及该栅绝缘层中，其中该源极导电层与该源极区电气连接；以及漏极导电层，位于该介电层之表面以及该介电层以及该栅绝缘层中，其中该漏极导电层与该漏极区电气连接。