| 发明名称 | 制备接触物质的方法 | ||
| 摘要 | 提供制备烷基卤硅烷的方法，该方法包括将硅和某种形式的铜在高于约500℃的温度下热处理，产生接触物质，在所述接触物质存在下，使烷基卤和硅反应，生成烷基卤硅烷。 | ||
| 申请公布号 | CN1250452C | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN01811516.0 | 申请日期 | 2001.02.20 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | L·N·刘易斯;W·J·瓦尔德三世;J·M·巴林 |
| 分类号 | C01B33/06(2006.01);B01J23/72(2006.01);C07F7/16(2006.01);C22C29/18(2006.01) | 主分类号 | C01B33/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 关立新;马崇德 |
| 主权项 | 1.制备接触物质的方法，包括下述步骤：(I)将硅和某种形式的铜混合并加热至低于500℃的温度，形成一种物质，和(II)将在步骤(I)中形成的所述物质在高于500℃的温度下热处理，其中所述热处理提高所述接触物质中铜的Cu3Si形式。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||