| 主权项 |
1.一种MRAM存储器单元的非破坏性自行标准化读取电路，其中该电路用一第一电压决定一存储器单元的标准电阻值Rnorm，而在该第一电压时该存储器单元的电阻值与其单元存储内容无关，且该电路利用一第二电压决定该存储器单元的实际电阻值R(0)或R(1)，而在该第二电压时该存储器单元的电阻值则与其单元存储内容相关，然后以下式利用该标准电阻值而分别将该实际电阻值标准化：Rnorm(0)＝R(0)/Rnorm 以及Rnorm(1)＝R(1)/Rnorm 而在将Rnorm(0)与Rnorm(1)同一参考值进行比较后，便根据比较结果而检测该存储器单元的存储内容为0或1，其特征为，该电路包含：一分支，其具有至少一电容器；一开关，其连接至该电容器；一主要输出；以及一平衡电路，其连接至该存储器单元、该分支与该主要输出，该平衡电路具有一第一晶体管并将在决定该标准电阻值Rnorm时所流通的电流反映至与该平衡电路连接的该分支，使得在该开关已开启后，该电容器与该第一晶体管即可缓存该标准电阻值，且该平衡电路使在决定该实际电阻值时所流通的电流Icell(0，1)流入该分支，以在该主要输出得到一标准化输出电压Uout(0，1)＝Rnorm·Icell(0，1)。 |
