| 发明名称 | 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 | ||
| 摘要 | 一种无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法，包括：采用相同工艺对一系列不同结构的晶体管材料进行器件制备，根据器件结果选取最优的晶体管外延材料；将所确定的外延材料在一确定温度T下做PL谱实验，找出沟道层的2DEG的导带电子第一二子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰的能量位置和发光峰的强度比I<SUB>e2-hh1</SUB>/I<SUB>e1-hh1</SUB>及相应峰值的半高宽；按所确定的外延材料批量生产，使用PL谱方法在温度T下检测这些材料，如果这些材料的能级位置，发光峰的强度比I<SUB>e2-hh1</SUB>/I<SUB>e1-hh1</SUB>及相应峰值的半高宽与已定标的PL谱各项指标相比偏差小于20％，则判定材料合格，可以进行器件制作；如检测结果与定标的结果偏差大于20％，则判定材料不合格。 | ||
| 申请公布号 | CN1251321C | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN03107705.6 | 申请日期 | 2003.04.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 崔利杰;曾一平;王保强;朱战平 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用相同工艺对一系列不同结构的晶体管材料进行器件制备，根据器件结果选取最优的晶体管外延材料；(2)将步骤(1)所确定的外延材料在一确定温度T＝77K下做光致发光谱实验，找出沟道层的二维电子气的导带电子第一二子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰的能量位置和发光峰的强度比Ie2-hh1/Ie1-hh1及相应峰值的半高宽；(3)按步骤(1)所确定的外延材料批量生产，使用PL谱方法在温度T＝77K下检测这些材料，如果这些材料的能级位置，发光峰的强度比Ie2-hh1/Ie1-hh1及相应峰值的半高宽与已定标的光致发光谱各项指标相比偏差小于20％，则判定材料合格，可以进行器件制作；如检测结果与定标的结果偏差大于20％，则判定材料不合格。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||