| 发明名称 | 半导体处理用紫外线辅助处理装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体处理用紫外线辅助处理装置(10)，具有与载置台(11)对置的、设置于构成处理室(12)的壁上的、使紫外线透射的窗(20)。设有与窗(20)对置的、向处理室(12)外发出紫外线的光源(15)。用于向处理室(12)的内部供给处理气体的供给系统具有形成于窗(20)内部的、使处理气体通过的顶部空间(21)和用于排出处理气体的多个排气孔(22)。 | ||
| 申请公布号 | CN1251311C | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN02805383.4 | 申请日期 | 2002.03.13 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 邵寿潜;李一成 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种利用紫外线对基板进行处理的处理装置，其特征在于，具有：收纳被处理基板的处理室；设置于所述处理室内，支承所述被处理基板的载置台；隔着所述载置台，对所述被处理基板进行加热的加热器；与所述载置台对置的、设置于构成所述处理室的壁上的、使紫外线透射的窗；与所述窗对置的、设置于所述处理室外的、发出紫外线的光源；用于排出所述处理室内部气体的排气系统；以及用于向所述处理室内部供给处理气体的供给系统，所述供给系统包括顶部空间和多个排气孔，所述顶部空间使形成于所述窗的内部的所述处理气体通过，所述多个排气孔形成于与所述载置台对置的所述窗的面上，并且与所述顶部空间连通，以排出所述处理气体，所述顶部空间和所述排气孔由形成所述窗的材料本身加工而成，所述窗是由可透射紫外线的多个板状结构部件贴合而成。 | ||
| 地址 | 日本东京都港区 | ||