| 发明名称 | 用于后端线互连结构的具有增强粘合力及低缺陷密度的低介电常数层间介电膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种基本上无缺陷的、具有改进的粘合性的低介电常数介电膜，其通过以下步骤形成：(a)将包含至少一个可聚合基团的硅烷偶联剂涂敷到基板的表面，以提供在所述基板上的所述硅烷偶联剂的基本上均匀的涂层；(b)在约90℃或更高的温度下，加热包含所述硅烷偶联剂涂层的基板，以提供含有Si-O键的表面；(c)用适当的溶剂漂洗经加热的基板，所述溶剂可有效地去除任何残余的硅烷偶联剂；和(d)将介电材料涂敷到漂洗过的含有Si-O键的表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN1251312C | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN02806345.7 | 申请日期 | 2002.02.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·R·艾克特;J·C·海;J·C·海德里克;K－W·李;E·G·里尼格;E·E·西蒙伊 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | H01L21/312(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 1.一种制造集成电路的方法，其包含至少以下步骤：(a)将含至少一个可聚合基团的硅烷偶联剂涂敷到基板的表面，以提供在所述基板上所述硅烷偶联剂的基本上均匀的涂层；(b)在约90-200℃的温度下，在惰性气体气氛下加热含所述硅烷偶联剂的所述涂层的所述基板，以在所述基板上提供含Si-O键的表面层；(c)用适当的溶剂漂洗所述经加热的基板，所述溶剂可有效地去除任何残余的未反应的硅烷偶联剂；及(d)将介电材料涂敷到漂洗过的含所述Si-O键的表面上。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||