发明名称 |
一种碳纳米管阵列处理方法 |
摘要 |
本发明涉及纳米材料,特别涉及一种碳纳米管阵列处理方法。本发明中,在基底上形成一碳纳米管阵列;通过预定图形的模压装置对所述碳纳米管阵列压印;取下模压装置,形成具有相应图形的碳纳米管阵列。该方法工艺简单、成本较低、有利于大批量生产。 |
申请公布号 |
CN1757594A |
申请公布日期 |
2006.04.12 |
申请号 |
CN200410051806.X |
申请日期 |
2004.10.06 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
柳鹏;盛雷梅;魏洋;刘亮;潜力;胡昭复;杜秉初;陈丕瑾;范守善 |
分类号 |
C01B31/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种碳纳米管阵列处理方法,包括步骤:一基底,其上形成一碳纳米管阵列;通过预定图形的模压装置对所述碳纳米管阵列压印;取下模压装置,形成具有相应图形的碳纳米管阵列。 |
地址 |
100084北京市海淀区清华大学物理系 |