| 发明名称 | 挥发性存储器结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种形成挥发性存储器结构的方法，包括下列步骤：首先，提供具有一对相邻的沟槽基底，并且每一沟槽的下半部形成有一埋入式沟槽电容。接下来，形成具有高部及低部的项圈绝缘层于每一沟槽的上半部侧壁，其中高部大体设置于每一沟槽邻近预定形成有源区的侧壁上。本发明还涉及挥发性存储器结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1758426A | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN200410084919.X | 申请日期 | 2004.10.10 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 洪金龙;张宏隆;李岳川 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种形成挥发性存储器结构的方法，包括下列步骤：提供一基底，其具有一对相邻的沟槽，每一沟槽的下半部形成一埋入式沟槽电容；及形成一具有一高部及一低部的项圈绝缘层于每一这些沟槽的上半部侧壁，其中该高部大体设置于每一这些沟槽邻近预定形成有源区的侧壁上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||