| 发明名称 | 晶体管集成电路装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种晶体管集成电路装置及制造该晶体管集成电路装置的方法，该晶体管集成电路装置减小了电路的集成面积，同时避免由于热失控导致的元件毁坏。阻断电容器(13)由上部电极和下部电极构成，该上部电极由布线金属形成且处于第一层，该下部电极由布线金属形成且处于第二层。偏置电阻器(12)由与阻断电容器(13)的下部电极相同的布线金属形成。该偏置电阻器(12)由制成薄膜的布线金属形成，以用作片电阻器，并且可以根据布线金属的厚度或宽度来随意设定偏置电阻器(12)的电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN1759481A | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN200480006662.4 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 川岛克彦;前田昌宏;村山启一;宫本裕孝 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L29/73(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种晶体管集成电路装置，其中多个电路集成在半导体衬底上，该晶体管集成电路装置包括：多个电路，每个电路包括：至少一个晶体管；电容器，具有多个电极，向所述电极其中之一输入信号，并且所述电极中的另一个连接到所述至少一个晶体管的基极端子；以及电阻器，具有多个端子，向所述多个端子其中之一施加直流电压，并且所述端子中的另一个连接到所述至少一个晶体管的所述基极端子，其中所述电阻器是由制成薄膜的布线金属形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||