发明名称 半导体存储装置及其封装以及使用该装置的存储卡
摘要 公开了一种半导体存储装置及其封装以及一种使用该装置的存储卡。该半导体存储装置包括存储单元阵列,在该阵列中多个共享字线的内存单元构成一页。将相同行地址信号输入到包括用于选择页的行译码器的两个或更多存储芯片,以便同时选择该两个或更多存储芯片的预定页。如果将该半导体存储装置封装或应用到存储卡,则可显著地减少该页的大小。并且,因为将数据交替地加载到存储芯片中或交替地输出存储芯片的数据,所以可改善整个程序化及读取速度。因此,可改善该半导体存储装置的性能。
申请公布号 CN1758438A 申请公布日期 2006.04.12
申请号 CN200510003766.6 申请日期 2005.01.11
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 杨中燮
分类号 H01L27/10(2006.01);H01L25/065(2006.01);H01L21/60(2006.01);G11C11/34(2006.01);G06K19/07(2006.01);G06K19/077(2006.01) 主分类号 H01L27/10(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 黄小临;王志森
主权项 1.一种半导体存储装置,在该装置中多个共享字线的内存单元构成一页,以及多个页构成存储单元阵列,其中该半导体存储装置包括行译码器,用于根据行地址信号选择一预定页,因而构成存储芯片,其中两个或更多存储芯片接收一个行地址信号作为公共输入,以及同时选择该两个或多个存储芯片的预定页。
地址 韩国京畿道