| 发明名称 | 可重写光学数据存储介质 | ||
| 摘要 | 描述一种具有以Ga-In-Sb合金为基础的相变记录层的光学数据存储介质，其成分位于三角形三元组成图中四边形区域TUVW之内。这些合金显示在30℃时其非晶稳定性达10年或更长。这种介质适用于例如至少30Mbit/sec的高速记录，例如DVD+RW、DVD-RW、DVD-RAM、高速CD-RW、DVR-红和DVR-蓝。 | ||
| 申请公布号 | CN1251212C | 申请公布日期 | 2006.04.12 |
| 申请号 | CN02801135.X | 申请日期 | 2002.04.04 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | M·H·R·兰克霍斯特;J·C·N·里佩斯;H·J·博尔格;J·H·J·鲁斯 |
| 分类号 | G11B7/24(2006.01) | 主分类号 | G11B7/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种用激光束(10)作高速记录的可重写光学数据存储介质(20)，所述介质(20)具有衬底(1)和其上的堆叠层(2)，所述堆叠层(2)包括第一介质层(3)、第二介质层(5)和具有包含Ga、In和Sb合金的相变材料的记录层(4)，所述记录层(4)夹在所述第一介质层(3)和所述第二介质层(5)之间，其特征在于：所述合金中Ga、In和Sb的比例在以原子百分比表示的Ga-In-Sb三元组成图(30)中用一个区域来代表，所述区域是具有以下T，U，V和W顶点的四边形：Ga36In10Sb54 (T)Ga10In36Sb54 (U)Ga26In36Sb38 (V)Ga52In10Sb38 (W) | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||