| 主权项 |
1.一种保护在晶圆上之3-D结构之排列,如3-D接点结 构,包括一顺应基本元件经重布线轨迹(重布线层) 电连接至晶圆上之一接合垫,该重布线轨迹延伸进 入功能3-D结构中,及包含一铜/镍层,该层由金层及3 -D结构之保护排列盖住,其特征为晶圆上之数个选 择之3-D结构(1)备有机械强化,俾至少某些该选择之 3-D结构(1)较其他功能3-D结构(8)具有较大之机械负 载载负能力。 2.如申请专利范围第1项之排列,其特征为选择之3-D 结构(1)较其他功能3-D结构(8)具有较低程度之压缩 性。 3.如申请专利范围第1或2项之排列,其特征为选择 之3-D结构(1)较其他功能3-D结构有稍微高之高度。 4.如申请专利范围第1或2项之排列,其特征为选择 之3-D结构(1)之顺应基本元件(3)较其他功能3-D结构( 8)具有显着较大之体积。 5.如申请专利范围第1或2项之排列,其特征为选择 之3-D结构(1)之顺应基本元件(3)由金属盖所保护。 6.如申请专利范围第1或2项之排列,其特征为选择 之3-D结构(1)之顺应基本元件(3)由一金属支撑环(10) 所包围。 7.如申请专利范围第1或2项之排列,其特征为选择 之3-D结构(1)以规则分布方式安排于晶圆(2)之边缘 区。 8.如申请专利范围第1或2项之排列,其特征为选择 之3-D结构(1)以规则之分布方式安排在晶圆(2)上。 9.如申请专利范围第1或2项之排列,其特征为选择 之3-D结构(1)可由电接合。 图式简单说明: 第1A图显示具有顺应元件及盖住结构之种子层之 晶圆。 第1B图显示第1A图之结构之平面图。 第2A图显示第1A、B图之结构在利用PER1之微影步骤 后及沉积一镍层及一铜层于顺应元件上。 第2B图显示第2A图之结构之平面图。 第3A图显示第2A、B图之结构在沉积金层于镍/铜层 后。 第3B图显示第3A图中之结构平面图。 第4A图显示已完工之3-D结构其在剥除EPR1及蚀刻种 子层后以金属盖增强。 第4B图显示第4A图之3-D结构之平面图。 第5A图显示已完工之3-D结构其在剥除EPR1及蚀刻种 子层后以金属环增强。 第5B图显示第5A图之3-D结构之平面图。 第6图显示具有增强之3-D结构及功能3-D结构之晶圆 之剖面图代表。 第7图显示功能3-D结构构造之一例。 |
