| 主权项 |
1.一种薄膜装置,系复数积层含一个或复数个薄膜 元件的薄膜元件层而成者,其特征为: 上述薄膜元件系具有藉由电流流动来产生发热的 发热区域, 在接的二个上述薄膜元件层中,以一方的上述薄 膜元件层中所含的上述薄膜元件的上述发热区域 与他方的上述薄膜元件层中所含的上述薄膜元件 的上述发热区域不会重叠于该薄膜元件层的厚度 方向之方式,使上述薄膜元件分别相对配置。 2.如申请专利范围第1项之薄膜装置,其中在上述薄 膜元件层的相互间介在接着材。 3.如申请专利范围第1项之薄膜装置,其中复数个上 述薄膜元件层系积层于玻璃基板或树脂基板上, 在上述玻璃基板或上述树脂基板与上述薄膜元件 层的相互间介在接着材。 4.如申请专利范围第2或3项之薄膜装置,其中上述 接着材系含放热性矽酮或奈米构造控制型环氧树 脂。 5.如申请专利范围第1项之薄膜装置,其中分别在上 述薄膜元件层含二个以上的上述薄膜元件, 分别在相异二层的上述薄膜元件层中所含的上述 薄膜元件的上述发热区域的相互间的最小距离系 比同一上述薄膜元件层内的上述薄膜元件的上述 发热区域问的最小距离更大。 6.如申请专利范围第1项之薄膜装置,其中上述发热 区域系于上述薄膜元件层内偏在于该薄膜元件层 的一面侧, 接的二个上述薄膜元件层系使各个上述一面与 相反侧的面彼此之间对向积层。 7.如申请专利范围第1项之薄膜装置,其中上述薄膜 元件为薄膜电晶体,上述发热区域为该薄膜电晶体 的主动区域。 8.一种薄膜装置,系复数积层含主动元件的薄膜元 件层而成者,其特征为: 上述主动元件系具有藉由电流流动来产生发热的 发热区域, 在接的二个上述薄膜元件层中,以一方的上述薄 膜元件层中所含的上述主动元件的上述发热区域 与他方的上述薄膜元件层中所含的上述主动元件 的上述发热区域从平面视方向来看该各薄膜元件 层时离间之方式,分别配置上述主动元件。 9.如申请专利范围第8项之薄膜装置,其中分别在上 述薄膜元件层含二个以上的上述主动元件, 分别在相异二层的上述薄膜元件层中所含的上述 主动元件的上述发热区域的相互间的最小距离系 比同一上述薄膜元件层内的上述主动元件的上述 发热区域间的最小距离更大。 10.如申请专利范围第8项之薄膜装置,其中上述发 热区域系于上述薄膜元件层内偏在于该薄膜元件 层的一面侧, 接的二个上述薄膜元件层系使各个上述一面与 相反侧的面彼此之间对向积层。 11.如申请专利范围第8项之薄膜装置,其中上述主 动元件为薄膜电晶体,上述发热区域为该薄膜电晶 体的主动区域。 12.如申请专利范围第8项之薄膜装置,其中在上述 薄膜元件层的相互间介在接着材。 13.如申请专利范围第8项之薄膜装置,其中复数个 上述薄膜元件层系积层于玻璃基板或树脂基板上, 在上述玻璃基板或上述树脂基板与上述薄膜元件 层的相互间介在接着材。 14.如申请专利范围第12或13项之薄膜装置,其中上 述接着材系含放热性矽酮或奈米构造控制型环氧 树脂。 15.一种积体电路,其特征系具备申请专利范围第1- 14项的任一项所记载的薄膜装置。 16.一种光电装置,其特征系具备申请专利范围第1- 14项的任一项所记载的薄膜装置。 17.一种电子机器,其特征系具备申请专利范围第1- 14项的任一项所记载的薄膜装置。 图式简单说明: 图1是用以说明一实施形态的薄膜装置的构成剖面 图。 图2是用以说明邻接于积层方向的二个薄膜元件层 之相互间的通道形成区域(发热区域)的配置例。 图3是用以说明薄膜装置的其他构成例的剖面图。 图4是用以说明薄膜装置的其他构成例的剖面图。 图5是用以说明有关各通道形成区域之相互间所应 确保的距离。 图6是表示含薄膜装置而构成的光电装置的电路图 。 图7是用以说明电子机器的具体例。 |
