发明名称 覆晶黏晶粒接合制程
摘要 一种覆晶黏晶粒接合制程,其步骤包括:先提供一载板,其具有一表面及一底面,且该载板具有一中空部,接着配置一第一晶粒于该载板之表面,该第一晶粒配置复数个凸块,且该第一晶粒覆盖该中空部,续贴一遮片于该载板中空部底面予以封闭该中空部,再执行回焊制程,以使该晶片之该等凸块与该载板电性连接,除去该遮片,完成覆晶黏晶制程,接着翻转上述该载板,及覆晶接合一第二晶粒于该第一晶粒上,再执行回焊接合。
申请公布号 TWI253132 申请公布日期 2006.04.11
申请号 TW094102207 申请日期 2005.01.25
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 杨朝钦
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 陈瑞田 台北市信义区忠孝东路5段410号4楼
主权项 1.一种覆晶黏晶粒接合制程,包含下列步骤: 提供一载板,其具有一表面及一底面,且该载板具 有一中空部; 配置一第一晶粒于该载板之表面,该第一晶粒配置 复数个凸块,且该第一晶粒覆盖该中空部; 贴一遮片于该载板中空部底面予以封闭该中空部; 执行回焊制程,以使该第一晶片之该等凸块与该载 板电性连接;及 除去该遮片,完成覆晶黏晶接合制程。 2.如申请专利范围第1项所述之覆晶黏晶粒接合制 程,其中该遮片系为耐热胶带。 3.如申请专利范围第1项所述之覆晶黏晶粒接合制 程,其中进一步包含下列制程: 翻转上述该载板;及 覆晶接合一第二晶粒于该第一晶粒上,并执行回焊 制程接合。 4.如申请专利范围第1项所述之覆晶黏晶粒接合制 程,其中该载板系包含基板(Substrate)或导线架( Leadframe)。 图式简单说明: 第1图(A)~(B)系先前技术之具中空部载板黏晶粒接 合制程示意图。 第2图(A)~(D)系本发明之覆晶黏晶粒接合制程示意 图。 第3图(A)~(B)系本发明之较佳实施例制程应用示意 图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号