| 主权项 |
1.一种在一基板上形成一二氧化矽构成层之原子 层沈积方法,其包含以下步骤: 在一沈积腔内定位一基板; 在有效使用化学方法吸附含矽之一第一物质单层 至该基板上之条件下,使三甲基矽烷流入该腔室且 使一第一惰性气体流入该腔室,该第一惰性气体以 一第一速率流动; 在形成该第一物质单层之后,在使一氧化剂与该化 学方法吸附之第一物质有效反应且在该基板上形 成一含二氧化矽之单层之条件下,使该氧化剂流入 该腔室,且使一第二惰性气体流入该腔室;该第二 惰性气体以低于该第一速率之一第二速率流动;及 相继重复该a)三甲基矽烷及第一惰性气体流动及b) 氧化剂及第二惰性气体流动,以在该基板上有效形 成一二氧化矽构成层。 2.如请求项1之方法,其中第二速率不超过该第一速 率之50%。 3.如请求项1之方法,其中第二速率不超过该第一速 率之40%。 4.如请求项1之方法,其中第二速率为该第一速率之 自25%至50%。 5.如请求项1之方法,其中第二速率为该第一速率之 自25%至40%。 6.如请求项1之方法,其中第二速率为该第一速率之 自30%至40%。 7.如请求项1之方法,其中第二速率为该第一速率之 自35%至40%。 8.如请求项1之方法,其中该第一与第二惰性气体系 相同的。 9.如请求项1之方法,其中该第一与第二惰性气体系 不同的。 10.如请求项1之方法,其中将该等二氧化矽构成单 层之每一形成为一至少2埃(Angstrom)之平均厚度。 11.如请求项1之方法,其中将该等二氧化矽构成单 层之每一形成为一至少3埃之平均厚度。 12.如请求项1之方法,其中该氧化剂以一至少2000 sccm之速率流入该反应器。 13.如请求项1之方法,其中该氧化剂以一至少3000 sccm之速率流入该反应器。 14.如请求项1之方法,其中该氧化剂以一至少4000 sccm之速率流入反应器。 15.如请求项1之方法,其中该氧化剂以一至少5000 sccm之速率流入该反应器。 16.如请求项1之方法,其中该氧化剂流在该腔室内 不含电浆。 17.如请求项1之方法,其中第二速率为该第一速率 之35%至40%,将该等二氧化矽构成单层之每一形成为 一至少3埃之平均厚度,且该氧化剂以一至少2000 sccm之速率流入该反应器。 18.如请求项1之方法,其中该三甲基矽烷流持续一 第一时段,且该氧化剂流持续一第二时段,该第二 时段超过该第一时段。 19.如请求项18之方法,其中该第二时段为该第一时 段之至少2倍。 20.如请求项18之方法,其中该第二时段超过2.5秒,且 该第一时段不超过2.5秒。 21.一种在一基板上形成一二氧化矽构成层之原子 层沈积方法,其包括以下步骤: 在一沈积腔内定位一基板; (a)在有效使用化学方法吸附含矽之一第一物质单 层至该基板上之条件下,使三甲基矽烷流入该腔室 ,且使惰性气体流入该腔室,该惰性气体流为一第 一速率; (b)在形成该第一物质单层后,在使该惰性气体流入 该腔室之同时,终止该三甲基矽烷流入该腔室以自 该腔室中净化三甲基矽烷; (c)在自该腔室中净化该三甲基矽烷后,在使一氧化 剂与该化学方法吸附之第一物质有效反应,且在该 基板上形成含二氧化矽之一单层之条件下,使该氧 化剂及该惰性气体流入该腔室;在该氧化剂流动期 间,该惰性气体以一低于该第一速率之第二速率流 动; (d)在形成该二氧化矽构成单层后,在将该惰性气体 流入该腔室之同时,终止该氧化剂流入该腔室以有 效自该腔室中净化氧化剂;及 相继重复该(a)至(d)流动,在该基板上有效形成一二 氧化矽构成层。 22.如请求项21之方法,其中在净化三甲基矽烷时,该 惰性气体以该第一速率流动。 23.如请求项21之方法,其中在净化氧化剂时,该惰性 气体以该第一速率流动。 24.如请求项21之方法,其中在净化三甲基矽烷时,该 惰性气体以该第一速率流动,且在净化氧化剂时, 该惰性气体以该第一速率流动。 25.如请求项21之方法,其中将该等二氧化矽构成单 层之每一形成为一至少2埃之平均厚度。 26.如请求项21之方法,其中将该等二氧化矽构成单 层之每一形成为一至少3埃之平均厚度。 27.如请求项21之方法,其中第二速率不超过该第一 速率之50%。 28.如请求项21之方法,其中第二速率不超过该第一 速率之40%。 29.如请求项21之方法,其中第二速率为该第一速率 之自25%至40%。 30.如请求项21之方法,其中第二速率为该第一速率 之自30%至40%。 31.如请求项21之方法,其中第二速率为该第一速率 之自35%至40%。 32.如请求项21之方法,其中该氧化剂以一至少2000 sccm之速率流入该反应器。 33.如请求项21之方法,其中第二速率为该第一速率 之自35%至40%,将该等二氧化矽构成单层之每一形成 为一至少3埃之平均厚度,且该氧化剂以一至少2000 sccm之速率流入该反应器。 34.如请求项21之方法,其中该氧化剂流在该腔室内 不含电浆。 35.如请求项21之方法,其中该(a)流系在一第一时段 且该(c)流系在一第二时段,该第二时段长于该第一 时段。 36.如请求项35之方法,其中该第二时段为该第一时 段至少2倍。 37.如请求项35之方法,其中该第二时段超过2.5秒,且 该第一时段不超过2.5秒。 38.一种在一基板上形成一二氧化矽构成层之原子 层沈积方法,其包括以下步骤: 在一沈积腔内定位一基板; 在有效使用化学方法吸附一含矽之第一物质单层 至该基板上之条件下,将三甲基矽烷流入该腔室; 在形成该第一物质单层后,在使一氧化剂与该化学 方法吸附之第一物质有效反应且在该基板上形成 一含二氧化矽单层之条件下,使该氧化剂流入该腔 室;该氧化剂以一至少2000 sccm之流动速率流入该腔 室;及 相继重复该三甲基矽烷及氧化剂流动以在该基板 上有效形成一二氧化矽构成层。 39.如请求项38之方法,其中该氧化剂以至少3000 sccm 之流动速率流入该腔室。 40.如请求项38之方法,其中该氧化剂以至少4000 sccm 之流动速率流入该腔室。 41.如请求项38之方法,其中该氧化剂以至少5000 sccm 之流动速率流入该腔室。 42.如请求项38之方法,其中该氧化剂为O3及O2之一混 合物。 43.如请求项38之方法,其中该氧化剂流在该腔室内 不含电浆。 44.如请求项38之方法,其中该氧化剂为O3及O2之一混 合物,且在该腔室内不含电浆。 45.如请求项38之方法,其中该等二氧化矽构成单层 之每一形成为一至少2埃之平均厚度。 46.如请求项38之方法,其中该等二氧化矽构成单层 之每一形成为一至少3埃之平均厚度。 47.如请求项38之方法,其中该三甲基矽烷流系在一 第一时段且该氧化剂流系在一第二时段,该第二时 段长于该第一时段。 48.如请求项47之方法,其中该第二时段为该第一时 段至少2倍。 49.如请求项47之方法,其中该第二时段超过2.5秒,且 该第一时段不超过2.5秒。 图式简单说明: 图1系根据本发明之一态样所使用之沈积腔之图解 视图。 图2系根据本发明之一态样所处理之基板之图解剖 视图。 图3为图2基板之视图,其处于图2所展示之处理步骤 之后续处理步骤中。 |
